Título :
SiC JFET/P-MOSFET cascode for SSCB and inrush current limiter in 300V DC power systems |
Autor :
Garrigós, Ausias 
Marroquí, David
Blanes, Jose M.
Torres, C.
Orts, Carlos
Casado, Pablo
Orts, Carlos
Casado, Pablo |
Departamento:
Departamentos de la UMH::Ciencia de Materiales, Óptica y Tecnología Electrónica |
Fecha de publicación:
2023-06 |
URI :
https://hdl.handle.net/11000/30262 |
Resumen :
This work presents a solid-state distribution and
protection switch based on the SiC JFET/P-MOSFET cascode
structure. The concept is aimed for 300V applications, but it can
be adapted easily to other voltages. Detailed circuit design and
simulation is discussed, as well as the potential application... Ver más
|
Palabras clave/Materias:
SSCB
SiC JFET
P-MOSFET
cascode
current limiter
satellite
DC voltage |
Área de conocimiento :
CDU: Ciencias aplicadas: Ingeniería. Tecnología: Ingeniería mecánica en general. Tecnología nuclear. Electrotecnia. Maquinaria: Ingeniería eléctrica. Electrotecnia. Telecomunicaciones |
Tipo de documento :
info:eu-repo/semantics/article |
Derechos de acceso:
info:eu-repo/semantics/closedAccess |
DOI :
https://doi.org/10.1109/ISIE51358.2023.10228112 |
Nombre Congreso:
2023 IEEE 32nd International Symposium on Industrial Electronics (ISIE) |
Aparece en las colecciones:
Artículos - Ciencia de los materiales, óptica y tecnología electrónica
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