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https://hdl.handle.net/11000/31989
Estudio de mecanismos para combatir eventos transitorios en memorias para aplicaciones espaciales
Título : Estudio de mecanismos para combatir eventos transitorios en memorias para aplicaciones espaciales |
Autor : Yáñez Sigüenza, Alex Ananías |
Tutor: Gutiérrez Mazón, roberto Gutiérrez-Castro, Daniel |
Editor : Universidad Miguel Hernández de Elche |
Departamento: Departamentos de la UMH::Ingeniería de Comunicaciones |
Fecha de publicación: 2024-02 |
URI : https://hdl.handle.net/11000/31989 |
Resumen :
El objetivo de este proyecto se basa en el estudio del arte en lo que respecta a mecanismos para combatir las SEUs en las memorias SRAM utilizadas en aplicaciones espaciales. Este estudio se centrará en la aplicación de técnicas de corrección de errores y redundancia para abordar estos problemas.
Además, se propone el diseño y verificación sobre una Spartan 7 FPGA (Field Programable Gate Array) de dos tipos de memorias Static RAM utilizando el lenguaje VHDL (Very High Descriptive Language), la primera mediante la técnica de detección y corrección de errores (EDAC), y la segunda mediante la triple redundancia modular (TMR). Estas dos implementaciones serán sometidas a un análisis comparativo.
Es importante destacar que este proyecto está diseñado específicamente para su aplicación en orbitas cercanas a la Tierra, donde la radiación cósmica es relativamente baja. Esta consideración es esencial ya que influye en las decisiones tomadas en cuanto a estrategias de mitigación de errores y la evaluación de su rendimiento.
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Palabras clave/Materias: SEUs memorias SRAM aplicaciones espaciales Spartan 7 FPGA lenguaje VHDL |
Área de conocimiento : CDU: Ciencias aplicadas: Ingeniería. Tecnología |
Tipo documento : application/pdf |
Derechos de acceso: info:eu-repo/semantics/openAccess Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional |
Aparece en las colecciones: TFG-Ingeniería Electrónica y Automática Industrial
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La licencia se describe como: Atribución-NonComercial-NoDerivada 4.0 Internacional.