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dc.contributor.authorGarrigós, Ausias-
dc.contributor.authorMarroquí, David-
dc.contributor.authorBlanes, Jose M.-
dc.contributor.authorTorres, C.-
dc.contributor.authorOrts, Carlos-
dc.contributor.authorCasado, Pablo-
dc.contributor.authorOrts, Carlos-
dc.contributor.authorCasado, Pablo-
dc.contributor.otherDepartamentos de la UMH::Ciencia de Materiales, Óptica y Tecnología Electrónicaes_ES
dc.date.accessioned2023-11-24T07:21:27Z-
dc.date.available2023-11-24T07:21:27Z-
dc.date.created2023-06-
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11000/30262-
dc.description.abstractThis work presents a solid-state distribution and protection switch based on the SiC JFET/P-MOSFET cascode structure. The concept is aimed for 300V applications, but it can be adapted easily to other voltages. Detailed circuit design and simulation is discussed, as well as the potential application in 300V bus voltage satelliteses_ES
dc.formatapplication/pdfes_ES
dc.format.extent6es_ES
dc.language.isoenges_ES
dc.relation.ispartof2023 IEEE 32nd International Symposium on Industrial Electronics (ISIE)es_ES
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.subjectSSCBes_ES
dc.subjectSiC JFETes_ES
dc.subjectP-MOSFETes_ES
dc.subjectcascodees_ES
dc.subjectcurrent limiteres_ES
dc.subjectsatellitees_ES
dc.subjectDC voltagees_ES
dc.subject.otherCDU::6 - Ciencias aplicadas::62 - Ingeniería. Tecnología::621 - Ingeniería mecánica en general. Tecnología nuclear. Electrotecnia. Maquinaria::621.3 - Ingeniería eléctrica. Electrotecnia. Telecomunicacioneses_ES
dc.titleSiC JFET/P-MOSFET cascode for SSCB and inrush current limiter in 300V DC power systemses_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.relation.publisherversionhttps://doi.org/10.1109/ISIE51358.2023.10228112es_ES
Aparece en las colecciones:
Artículos CIENCIA DE LOS MATERIALES ÓPTICA Y TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA


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